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形成的因素内存(Dual in-line memory module)棒是更大的RAM模块，专为桌面主板设计。 SO-DIMM(小型轮廓双列直插内存模块)是为笔记本电脑、英特尔NUC迷你电脑和一些Mini-ITX小型形式因素(SFF)主板制造的小型模块。重要的RAM规格容量:以GB为单位。容量越大，应用程序可以存储的数据越多。在更高的容量下，更多的应用程序可以同时运行，游戏可以存储更多的临时数据。速度:以每秒传输百万次(MT/s)来衡量，这通常也被视为以兆赫(MHz)为单位的速度，尽管它与时钟速度是不同的测量方法。更高的速度评级意味着更快地响应读写请求，从而提高性能。在孵蛋的内存双通道内存
	关键4GB Single DDR4 2666 MT/s (PC4-21300) CL19 x8 SODIMM 260-Pin内存- CT4G4SFS8266, 4GB Single Rank 4 gb, DDR4 RAM 内存速度- 2666mhz /PC4-21300 /CL19 ECC Type = Non-ECC, Form Factor = SODIMM, Pin Count = 260-pin, PC Speed = PC4-21300, Voltage = 1.2V, Rank and Configuration = 1Rx8 提高系统的响应能力，更快地运行应用程序，轻松地完成多任务轻松安装;不需要任何计算机技能当使用关键系统扫描或关键顾问工具时，兼容性保证
	关键RAM 8GB DDR4 2666 MHz CL19笔记本电脑内存CT8G4SFRA266 8 gb, DDR4 RAM 内存速度-2666MHz /PC4-21300 (2666MHz) ECC Type = Non-ECC, Form Factor = SODIMM, Pin Count = 260-pin, PC Speed = PC4-21300, Voltage = 1.2V, Rank和配置= 1Rx16, 1Rx8或2Rx8 当使用关键系统扫描或关键顾问工具时，兼容性保证提高系统的响应能力，更快地运行应用程序，轻松地完成多任务降低电能消耗高达40%，延长电池寿命轻松安装;不需要任何计算机技能

	关键RAM 16GB DDR4 2666 MHz CL19笔记本电脑内存CT16G4SFRA266 随着DDR4技术的成熟，DDR4的传输速度有望达到2666 MT/s和更快的数据速率增加带宽高达30% 降低电能消耗高达40%，延长电池寿命更快的突发访问速度，改善整个顺序数据针对下一代处理器和平台进行了优化

	关键32GB Kit (16GBx2) DDR4 2666 MT/s (PC4-21300) DR x8 SODIMM 260-Pin内存- CT2K16G4SFD8266

	关键32GB DDR4-2666 SODIMM CT32G4SFD8266 随着DDR4技术的成熟，DDR4的传输速度有望达到3200 MT/s和更快的数据速率增加带宽高达30% 降低电能消耗高达40%，延长电池寿命更快的突发访问速度，改善整个序列数据为下一代处理器和平台优化

	关键8GB单DDR4 2666mt /s (PC4-21300) SR x8 DIMM 288引脚内存- CT8G4DFS8266 8GB, SRx8内存，单排DDR4 SDRAM 2666mt /S (PC4-21300)， 2666mhz,CL19延迟电压1.2V，引脚计数-288引脚缓冲内存桌面SDRAM，兼容使用DDR4 2666MT/s UDIMM内存的系统，也有OEM系统和保修随着DDR4技术的成熟，DDR4的传输速度有望达到3200 MT/s和更快的数据速率增加带宽高达32% 减少电力消耗高达40%

	关键16GB单片DDR4 2666mt /s (PC4-21300) DR x8 DIMM 288引脚内存- CT16G4DFD8266

	关键32GB DDR4-2666 UDIMM CT32G4DFD8266 随着DDR4技术的成熟，DDR4的传输速度有望达到3200 MT/s和更快的数据速率增加带宽高达32% 减少电力消耗高达40% 更快的突发访问速度，改善整个序列数据为下一代处理器和平台优化 ECC Type = Non-ECC, Form Factor = UDIMM, Pin Count = 288-pin, PC Speed = PC4-21300, Voltage = 1.2V, Rank and Configuration = 2Rx8

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